Nová cestovní mapa Samsungu se zaměřuje na dodávku energeticky efektivnějších systémů pro zařízení typu „systém-on-chip“ v různých odvětvích. „Trend směrem k chytřejšímu a propojenějšímu světu vyžaduje od výrobců čipů více,“ říká výkonný viceprezident Samsungu Charlie Bae.
Další procesní technologií, kterou Samsung uvede, bude 7nm Low Power Plus založená na EUV litografii. Řešení 7LPP od Samsungu půjde do výroby ve druhé polovině letošního roku a v průběhu první poloviny roku 2019 bude dále škálováno.
Přesuneme-li se k ještě menším čipům, pak se dostáváme k 5nm Low Power Early, což je škálovaná verze 7LPP s vylepšenými čísly týkajícími se spotřeby energie. Po 5 nm se Samsung zaměří na 4nm Low Power early a Low Power Plus. Při 4 nm půjde o poslední generaci využívající technologii FinFET. Tento malý krok mezi 5 nm a 4 nm má za účel usnadnit přechod při současném dosažení jistých zlepšení v oblasti výkonu.
„Poslední zastávku roadmapy Samsungu je 3nm Gate-All-Around Early/Plus. Díky využití novějšího typu tranzistorů mohou být vyřešeny problémy s fyzickým škálováním týkající se FinFET. Samsung svoje chystaná zařízení nazve MBCFET čili Multi-Bridge-Channel FET.
Bude trvat ještě pár let, než se Samsungu či kterémukoliv z jeho konkurentů podaří škálovat výrobní technologie až na 3 nm, ale je důležité vědět, že firmy již reagují na určité klíčové problémy spojené se škálováním a rané odhady expertů uvádějí, že by se 3nm výroba mohla spustit už někdy v roce 2022.
Zdroj: Techspot.com
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU