Podle poslední prognózy společnosti DRAMeXchange se výrobci NAND flash zaměřili na konverzi výrobních závodů na 3D NAND, technologii, která je hustší, rychlejší a levnější než tradiční 2D (planární) NAND.
V návaznosti na kroky vedoucích předních výrobců 3D NAND Samsungu a Micronu zahájí většina dodavatelů NAND flash masovou výrobu 64vrstvých 3D NAND čipů ve druhé polovině roku 2017, uvádí zpráva DRAMeXchange.
Počínaje letošním rokem zahájila společnost Western Digital (WD) ve spolupráci s Toshibou výrobu 64vrstvého NAND flashového řešení, vůbec nejhustšího se třemi bity dat uloženými v každé flashové buňce.
3D NAND flashové čipy stavějí na vertikální stohovací neboli 3D technologii, kterou WD a Toshiba nazývají BiCS (Bit Cost Scaling). Společnost WD zahájila pilotní výrobu svého prvního čipu 3D NAND s kapacitou 512 gigabitů (Gb) založeného na 64vrstvé NAND flash technologii.
Pro podniky by měl nárůst výroby 3D NAND znamenat levnější nevolatilní paměť pro využití v datacentrech a pracovních stanicích.
I přes nárůst výroby 3D NAND se však očekává, že celkové zásoby NAND flash budou i nadále napjaté kvůli tomu, že Apple bude naskladňovat komponenty pro svůj příští iPhone a zároveň i kvůli stálé poptávce ze strany výrobců SSD, uvádí zpráva DRAMeXchange.
3D NAND nyní tvoří více než polovinu NAND flashových výstupů Samsungu a Micronu. Společnost SK Hynix se kromě toho chystá na představení 72vrstvých NAND čipů, jejichž masová výroba by měla být zahájena už ve druhé polovině letošního roku.
Zdroj: CIO.com
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU